8月31日，住友化學宣布，基于5G市場需求的持續(xù)增加，住友化學決定擴大半導體光刻膠的產能。

據了解，住友化學將在大阪工廠（日本大阪的Koonohana-ku）新增ArF（浸入式）和EUV（極端紫外線）光刻膠生產線，并在韓國全資子公司東宇精細化工有限公司的Iksan工廠為射頻浸入式平板攝影器建造一個新的光刻生產廠。住友化學表示，新生產線將于2023財年上半年開始運營，大阪工廠將于2024財年上半年投產。

新設的韓國工廠將生產ArF(氟化氬)光刻膠。ArF光刻膠是在半導體晶片上印刻電子電路時使用的尖端材料，住友化學此前一直在大阪工廠生產該材料。今后將把日本國內原料調配到韓國工廠，而后混合出貨。

住友化學方面解釋說：“ArF光刻膠并非指定的限制韓國出口的品類?！钡蟹治稣J為，在最近接連發(fā)生的日本半導體材料制造企業(yè)對韓國的投資，不能否定是出口限制措施影響。

光刻膠面臨五大壁壘，亟待國產化

從住友化學擴產半導體光刻膠不難看出，半導體市場正處于高速發(fā)展期，我國也不例外。近年來，我國集成電路產業(yè)營收以10%的速度高速增長，ArF和EUV光刻膠需求也與日俱增，但是，光刻膠的突破速度和質量卻遠遠跟不上，制約了我國半導體行業(yè)的發(fā)展。

國內雖然涌現(xiàn)了像南大光電、彤程新材這樣的企業(yè)，在一定程度上緩解了光刻膠供不應求的局面，但是我國光刻膠行業(yè)仍然面臨五大壁壘，亟待國產化。

無論是濕電子化學品還是光刻膠，純度都是最核心的標準之一。

目前，國外的光刻膠阻抗可以做到10^15，國內基本上停留在10^10（阻抗越高純度越高）光刻膠純度不足會造成芯片良率下降，甚至污染事故。2019年臺積電就因為光阻原料污染導致上萬片12寸晶圓報廢，直接損失達5.5億美元。

影響光刻膠純度的原因多種多樣，但原材料一定占據核心位置。 

就拿光刻膠的溶劑來說，一款光刻膠，溶劑的含量占據光刻膠總質量的80%~90%，光刻膠最常使用的溶劑為丙二醇甲醚醋酸酯（PMA），它具有很好的溶解性，性狀穩(wěn)定，適合將成膜樹脂和光引光劑液化以便于旋轉涂敷。 

目前，世界丙二醇醚及酯類產品的生產主要集中在美國、西歐及中國等國家和地區(qū)，主要是美國陶氏化學、伊士曼化學，荷蘭利安德巴塞爾，德國巴斯夫，這些國外企業(yè)從事丙二醇醚及其酯的工業(yè)化生產，這些企業(yè)深耕這一領域已有30多年的歷史，擁有豐厚的技術經驗，并不是國產企業(yè)可以一朝一夕能夠拿下的。

如今的光刻技術已經進入EUV時代，臺積電、英特爾和三星紛紛積極導入EUV技術，與之對應的是EUV光刻膠的需求上升，與ArF浸沒式光刻相比，EUV光刻技術有很高的圖形保真度和設計靈活性，所需的光掩模數(shù)量很少，顯示出明顯的優(yōu)勢。 

但國產光刻膠企業(yè)想要突破它，不僅面臨原材料、純度等難題，還面臨強大的專利壁壘。 

從全球EUV光刻膠專利的申請量上來看，1998年EUV光刻膠專利的申請量只有6件，此后十年間，大多數(shù)時候都是年平均兩位數(shù)的申請量。從2010年開始的四年間，申請數(shù)量破百，并且持續(xù)增長，到2013年到達頂峰。當年的申請量有164件，此后又逐步回落至兩位數(shù)，到2017年，EUV光刻膠專利的申請量只有15件。 

這一趨勢說明，在本世紀前13年里，EUV光刻膠的技術在不斷的進步，各大廠商都在積極探索EUV光刻膠技術，所以專利數(shù)才會不斷上升，而在2013年之后，該項技術走向成熟，由此專利數(shù)量開始急劇減少。

與半導體設計、半導體封測甚至晶圓產業(yè)相比，光刻膠是一個“小眾”產業(yè)，而且光刻膠還分為顯示面板用光刻膠和半導體用光刻膠，半導體用光刻膠的規(guī)模遠小于面板用光刻膠。 

TECHCET的一份預測數(shù)據顯示，2021年整個半導體用光刻膠的市場只有19億美元的規(guī)模，但是，日本和美國的光刻膠企業(yè)幾乎壟斷了整個半導體用光刻膠市場。拿ArF光刻膠舉例，日本的JSR、信越化學、東京應化、住友化學四家企業(yè)就占據了82%的市場份額，KrF光刻膠市場中，東京應化、信越化學、JSR和杜邦占據了85%的市場份額。 

并且從公司規(guī)模來看，光刻膠并不是這些的主營業(yè)務，光刻膠只是占據了其營收中極小的一部分。 

以信越化學為例，其2019年的營收大約為147億美元，而當年的全球半導體光刻膠市場規(guī)模也才13億美元左右，所以相比較之下，光刻膠并不是巨頭們的最核心業(yè)務。 

與之相比的是，國內的光刻膠企業(yè)無論從技術還是規(guī)模上，都與巨頭們有比較大的差距。南大光電和晶瑞股份是國內的光刻膠龍頭企業(yè)，2019年，南大光電的營收為3.21億元，凈利潤0.55億元，同年晶瑞股份的營收為7.6億元，凈利潤為0.31億元，由此可見一斑。 

此外，由于光刻膠的應用環(huán)境復雜且多樣，有時甚至需要針對每個工廠進行特別定制，很難標準化和模塊化，光刻膠從研發(fā)成功到進入客戶驗證階段，并被大規(guī)模使用，中間所需要的時間都是按照年為單位計算，一般情況下客戶并不愿意輕易的更換光刻膠供應商。 

除了以上的技術、市場及原材料等諸多核心因素之外，制約國產光刻膠發(fā)展的還有許多非核心因素。 

比如除了光刻膠以外，光刻膠輔助材料、光刻膠專用試劑也具有較高的技術壁壘，例如抗反射涂層的配方主要掌握在JSＲ、信越化學、陶氏化學、Merck 等國際光刻膠巨頭手里。 

在采訪國內幾家光刻膠上市企業(yè)時，其相關負責人都不約而同的提到了“瓶子”這個關鍵詞，他們表示，裝光刻膠所需要用到的瓶子目前國內企業(yè)還無法生產，需要進口。 

國產企業(yè)的瓶子有的是性能不達標，有的是純度不夠有雜質。當然，國內也不是完全造不出瓶子，問題在于光刻膠企業(yè)所需要的瓶子數(shù)量太少，一些大的公司不愿意為這樣小的一個產品去專門研發(fā)和開辟一條產線，因為經濟效益不高。 

此外，光刻膠的保質期也比較短，大概在3~6個月左右，在運輸過程中又需要冷鏈運輸，而冷鏈運輸會提高整體成本，所以最后導致光刻膠價格上去，這嚴重影響光刻膠的推廣使用。 

結語

近年來，我國集成電路產業(yè)營收以10%的速度高速增長，ArF和EUV光刻膠需求也與日俱增，但是，光刻膠的突破速度和質量卻遠遠跟不上，制約了我國半導體行業(yè)的健康發(fā)展，為了解決這一困境，國家出臺了多項政策支持光刻膠產業(yè)發(fā)展，部分下游企業(yè)也開始布局光刻膠。前不久，華為哈勃投資3億元入股了光刻膠生產企業(yè)，說明華為在經歷了“卡脖子”之后開始重視芯片產業(yè)鏈的自主可控。

所以，光刻膠的突破并不是光刻膠企業(yè)本身就能獨立完成的，它需要整個半導體產業(yè)的聯(lián)動，如果有更多的企業(yè)尤其是半導體行業(yè)內的企業(yè)加入進來，那么，國產光刻膠的突破將是時間問題。