電子化學品作為電子材料與精細化工相結合的高新技術產品，具有高級、精密、尖端等特點。隨著時代發(fā)展和科技進步，電子化學品應用領域不斷擴大，呈現(xiàn)出巨大的市場潛力和廣闊的發(fā)展前景。
半導體從硅單晶生產，到切片、摻雜、濺射、拋光、極紫外曝光、清洗、封裝，以及運行時的熱控等制造全過程，幾乎都涉及電子化學品。
就品類而言，半導體涉及的化學品主要有5大類：光刻膠、電子氣體、濕化學品、拋光液/拋光墊和金屬靶材，絕大部分市場份額為美日企業(yè)所壟斷。國內新材料企業(yè)結合各自優(yōu)勢以重點單品為主攻，行業(yè)內錯位競爭，呈現(xiàn)出百花齊放的局面。
光刻膠，又稱光致抗蝕劑，是微電子領域微細圖形加工核心上游材料，電子化學品的高端材料之一。光刻膠品種多樣分為紫外全譜（300~450nm、g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）、EUV（13.5nm）、電子束，在半導體領域應用很廣。
光刻膠存在極高的技術壁壘和市場壁壘，國產化率極低。半導體領域整體國產化率約為10%，其中，g線、i線、KrF光刻膠約10%，ArF光刻膠全部進口。平板顯示領域整體國產化率約10%，其中，觸摸屏光刻膠約35%，彩色和黑色光刻膠、TFT光刻膠幾乎全部進口。
目前低端PCB光刻膠國產替代最快，高端半導體光刻膠處于方興未艾的階段，上海新陽KrF厚膜、ArF干法光刻膠研發(fā)到達中試階段，晶瑞股份完成KrF（248nm深紫外）光刻膠中試，南大光電研制的ArF(193nm)光刻膠樣品處于客戶測試階段。
電子氣體作為集成電路、平面顯示器件、化合物半導體器件、太陽能電池、光纖等電子工業(yè)生產中不可缺少的基礎和支撐性材料之一，被廣泛應用于薄膜、蝕刻、摻雜、氣相沉積、擴散等工藝。隨著集成電路制造技術的快速發(fā)展，芯片尺寸不斷增大，工藝不斷提高，特征尺寸線寬不斷減小，要求IC制程用的各種電子氣體純度、特定技術指標不斷提高，對關鍵雜質的要求更為苛刻。
電子氣體以純度為核心指標，國內企業(yè)普遍做到5-6N，林德和法液空等海外領先企業(yè)技術可達6-9N。國內以華特氣體、金宏氣體和七一八所（非上市）為首，華特已具備清洗氣、刻蝕氣和摻雜氣等技術，目前仍在繼續(xù)擴大產能。
濕電子化學品，又稱超凈高純試劑，要求超凈和高純，為濕法工藝（包括濕法刻蝕、清洗）制程中使用的各種液體化工材料，主要應用在半導體、平板顯示、太陽能光伏領域等微電子、光電子器件制造領域。濕電子化學品存在較高的技術壁壘和市場壁壘。國際上G1到G4級濕電子化學品的技術已趨于成熟，國內企業(yè)大都能夠達到G2級，少數(shù)企業(yè)達到G3和G4級。
國內企業(yè)中，晶瑞股份超高純凈雙氧水和超純氨水已達G5標準，其他產品均達到G3或G4標準，上海新陽市的超純電鍍液及添加劑實現(xiàn)在90-28nm制程上的應用，江微化IPO項目落地后將具備G4/G5級產品生產能力。
2019年我國濕電子化學品市場規(guī)模約達94.17億元，同比增長7.15%；2020年我國濕電子化學品市場規(guī)模達到100.62億元左右，同比增長6.85%。
CMP拋光材料是應用于CMP工藝中的拋光材料，而CMP工藝是在半導體工業(yè)中使器件在各階段實現(xiàn)全局平坦化的關鍵步驟。其原理是在一定壓力和拋光液環(huán)境下，被拋光工件相對于拋光墊做相對運動，通過拋光液中固體粒子的研磨作用和氧化劑的腐蝕作用，使工件形成平坦光潔的表面。
CMP拋光材料市場占半導體材料7%。CMP是實現(xiàn)晶圓表面平坦化的關鍵工藝，核心材料主要為拋光液和拋光墊。全球拋光液和拋光墊市場被美、日企業(yè)壟斷，國內拋光墊主要廠商為鼎龍股份，拋光液龍頭安集科技國內市場占比22%。
半導體靶材的核心技術主要包括：(1)金屬提純技術,純度要求做到99.999%(2)金屬微觀結構控制技術(3)異種金屬高端焊機技術(4)精密加工、清洗和加工技術。中國生產半導體用的濺射靶材之前一直依賴進口，JX/Nikko、Praxair、Honeywell、Tosoh等，四家公司市場占有率超過80%。江豐電子在半導體靶材領域的突破以及全球市占率的快速提升，標志著大陸半導體關鍵材料的重大突破，我們判斷半導體核心材料領域將不斷涌現(xiàn)出大陸企業(yè)的身影，未來2-3年將出現(xiàn)更多的半導體材料領域的投資機會。
